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교육개요
| 교육명 | 단결정 성장 기술과정 |
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| 교육기간 | 2일 (2018-07-26 ~ 2018-07-27) |
| 교육시간 | 총 16시간(1일 8H) (09:00 ~ 17:30) |
| 교육인원 | 15명 |
| 교육장소 | 한국산업기술대학교내 강의실 |
| 특이사항 | |
| 교육개요 | - AIN, SiC, GaN, 사파이어 단결정 성장기술 습득 - 단결정 분석 기술, 광응용 및 광분석 기술, 광소자 및 전력반도체 기술 습득 |
| 교육내용 | |||||||||||||||||||
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* 교육일정 및 커리큘럼은 강사 등 사정에 따로 일부 변동 될 수 있사오니 사전에 인력양성팀에 문의해 주시기 바랍니다.
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