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한국산업기술대학교

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온라인 교육신청

교육개요
교육명 차세대 SiC 반도체 기술(맞춤형)
교육기간 2일 (2019-07-11 ~ 2019-07-12)
교육시간 총 16시간(1일 8H) (08:00 ~ 17:00)
교육인원 20명
교육장소 협약기업
특이사항 * 대규모기업의 경우 80% 지원, 20% 교육비 (40,010원) 자부담

* 그 외 기업은 전액 정부 지원 (교육비 및 교재 등)
교육개요 4차 산업혁명의 자율주행차와 자동차 파워트레인 전기화, 사물인터넷(IoT) 등 AI반도체 및 SiC 기반의 전력반도체 제작을 위해 필요한 SiC 단결정 성장기술 및 SiC 전력반도체 제작 기술을 집중적으로 교육하여 실무적인 역량을 향상
교육내용
일차 시간 교육 내용
1일 오전( 08:00 ~ 09:50 )

4차 산업혁명과 반도체 응용

 오전( 10:00 ~ 11:50 )

4차 산업혁명 '두뇌' AI반도체

오후( 13:00 ~ 13:50 ) 

4차 산업혁명 '두뇌' AI반도체

오후( 14:00 ~ 16:50 )

SiC 단결정 성장 기술 및 단결정 성장기법 공정

2일 오전( 08:00 ~ 09:50 )

SiC 전력반도체 개발동향 및 전망

 오전( 10:00 ~ 13:50 )

SiC 소자성장 기술

오후( 14:00 ~ 16:50 )

SiC Design/ Process 기술 및 공정 이슈


  * 교육일정 및 커리큘럼은 강사 등 사정에 따로 일부 변동 될 수 있사오니 사전에 인력양성팀에 문의해 주시기 바랍니다.