교육명 | 단결정 성장 및 전력반도체 기술(맞춤형) |
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교육기간 | 2일 (2019-08-07 ~ 2019-08-08) |
교육시간 | 총 16시간(1일 8H) (08:00 ~ 17:00) |
교육인원 | 24명 |
교육장소 | 협약기업 |
특이사항 | * 대규모기업의 경우 80% 지원, 20% 교육비 (39,800원) 자부담 * 그 외 기업은 전액 정부 지원 (교육비 및 교재 등) |
교육개요 | ■ Wideband gap 반도체 기술 습득 ■ SIC 단결정 성장기술 습득 ■ SIC 및 GaN 전력반도체 전망 및 Design/ Process 기술 습득 ■ 반도체 열 특성평가 및 신뢰성 등 박막재료 표면 분석 기술 습득 |
교육내용 | |||||||||||||||||||
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* 교육일정 및 커리큘럼은 강사 등 사정에 따로 일부 변동 될 수 있사오니 사전에 인력양성팀에 문의해 주시기 바랍니다.
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