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온라인 수강신청

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온라인 교육신청

교육개요
교육명 단결정 성장 및 전력반도체 기술(맞춤형)
교육기간 2일 (2019-08-07 ~ 2019-08-08)
교육시간 총 16시간(1일 8H) (08:00 ~ 17:00)
교육인원 24명
교육장소 협약기업
특이사항 * 대규모기업의 경우 80% 지원, 20% 교육비 (39,800원) 자부담

* 그 외 기업은 전액 정부 지원 (교육비 및 교재 등)
교육개요 ■ Wideband gap 반도체 기술 습득
■ SIC 단결정 성장기술 습득
■ SIC 및 GaN 전력반도체 전망 및 Design/ Process 기술 습득
■ 반도체 열 특성평가 및 신뢰성 등 박막재료 표면 분석 기술 습득
교육내용
일차 시간 교육 내용
1일 오전( 08:00 ~ 09:50 )

Wideband gap 반도체 기술  (III-Nitride 반도체 기술)

 오전( 10:00 ~ 11:50 )

SiC 전력반도체 기술 전망 및 SiC Design/ Process 기술

오후( 13:00 ~ 13:50 ) 

SiC 전력반도체 기술 전망 및 SiC Design/ Process 기술

오후( 14:00 ~ 16:50 )

SiC 단결정 성장 기술

2일 오전( 08:00 ~ 09:50 )

GaN 전력반도체 기술 전망 및 GaN Design/ Process 기술

 오전( 10:00 ~ 13:50 )

반도체 열 특성 평가 및 열 신뢰성 (Si/ SiC/ GaN)

오후( 14:00 ~ 16:50 )

박막 재료 표면 분석 기술 - 원리 및 응용

(AES, XPS, SIMS 등)


  * 교육일정 및 커리큘럼은 강사 등 사정에 따로 일부 변동 될 수 있사오니 사전에 인력양성팀에 문의해 주시기 바랍니다.