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교육개요
| 교육명 | 단결정 반도체 소재/소자 성장기술 |
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| 교육기간 | 2일 (2019-10-24 ~ 2019-10-25) |
| 교육시간 | 총 16시간(1일 8H) (09:00 ~ 17:30) |
| 교육인원 | 20명 |
| 교육장소 | 한국산업기술대학교내 강의실 |
| 특이사항 | * 대규모기업의 경우 80% 지원, 20% 교육비 (50,500원) 자부담 * 그 외 기업은 전액 정부 지원 (교육비 및 교재 등) |
| 교육개요 | ■ GaN, AIN, SiC 단결정 성장 기술 습득 ■ GaN/AIN 소자 성장 기술 및 SiC 소자 기술 습득 ■ 반도체 결정분석 및 광분석 기술 습득 ■ 반도체 분석운영 실습 (XRD, PL, 전력반도체분석기 등) |
| 교육내용 | |||||||||||||||||||
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* 교육일정 및 커리큘럼은 강사 등 사정에 따로 일부 변동 될 수 있사오니 사전에 인력양성팀에 문의해 주시기 바랍니다.
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