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교육개요
| 교육명 | 4차 산업 전력반도체용 SiC 단결정 소재기술 및 결함분석 |
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| 교육기간 | 2일 (2025-06-24 ~ 2025-06-25) |
| 교육시간 | 총 12시간(1일 6H) (10:00 ~ 17:00) |
| 교육인원 | 15명 |
| 교육장소 | 한국공학대학교내 강의실 |
| 특이사항 | * 대규모기업의 경우 80% 지원, 20% 교육비 (49,000원) 자부담 * 그 외 기업은 전액 정부 지원 (교육비 및 교재 등) * 신청 마감시 대기자로 등록됩니다. |
| 교육개요 | [교육 대상] ● 반도체재료 및 반도체개발 분야 직무능력 향상을 원하는 재직자 ● SiC 단결정 성장 및 전력반도체 소재/소자 관련 업체의 연구개발 및 제조에 종사하는 재직자 [교육 개요] ● SiC 단결정 기판 성장기술 및 가공 기술 습득 ● SiC 단결정 에피 성장 기술 습득 ● SiC 기판 소재 결함 분석 및 에피 소재 결함 분석 습득 ● PL mapping 및 X ray topography를 이용한 SiC 결함 분석 습득 |
| 교육내용 | |||||||||||||||||||||||
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* 교육일정 및 커리큘럼은 강사 등 사정에 따로 일부 변동 될 수 있사오니 사전에 인력양성팀에 문의해 주시기 바랍니다.
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